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La inspección de la oblea de carburo de silicio

Las principales áreas de aplicación de las obleas de carburo de silicio son la iluminación de estado sólido LED y los dispositivos de alta frecuencia. El material tiene excelentes características como banda prohibida, velocidad de deriva, voltaje de ruptura, conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas que son varias veces más altas que las del silicio tradicional, Y tiene ventajas insustituibles en campos de aplicación electrónica como alta temperatura, alto voltaje, alta frecuencia, alta potencia, fotoelectricidad, resistencia a la radiación, Microondas y aplicaciones ambientales extremas como la industria aeroespacial, militar y la energía nuclear. El proveedor exclusivo de un solo cristal de carburo de silicio en China está en la posición de liderazgo absoluto en investigación y desarrollo, tecnología, desarrollo de mercado y operación comercial, Y ha dominado con éxito la tecnología central de crecimiento de cristal SiC2 supergrande de grado gema de 76mm (3 pulgadas), alcanzando el nivel avanzado Internacional en 2001.


En la aplicación de dispositivos semiconductores, con la reducción del costo de producción de carburo de silicio, el carburo de silicio puede reemplazar al silicio como Chip debido a su excelente rendimiento, que romperá el cuello de botella del rendimiento material de los chips de silicio y traerá cambios revolucionarios a la industria electrónica. Los principales campos de aplicación del carburo de silicio son la iluminación LED de estado sólido y los dispositivos de alta frecuencia. En el futuro, el mercado de luz de fondo de teléfonos móviles y computadoras portátiles proporcionará un gran crecimiento de la demanda de carburo de silicio.


El polarizadoMedidor de estrésIndependientemente desarrollado y producido por Suzhou PTC Optical Instrument Co., Ltd. se puede utilizar para detectar defectos de obleas de carburo de silicio, como arañazos, burbujas, suciedad, etc.


The Inspection of Silicon Carbide Wafer

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